类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

表面安装

材料

终端数量

晶体管元件材料

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

包装

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

ECCN 代码

类型

端子表面处理

附加功能

HTS代码

子类别

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

晶体管应用

极性/通道类型

JEDEC-95代码

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

BUK9M10-30EX
BUK9M10-30EX
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7.8@10V

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

有

有

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

30

10

2.1

54

100

1

12.2@5V

939@25V

128@25V

55000

17.2

22

17.8

8.8

-55

175

汽车

表面贴装

0.9(Max)

2.6

3.4(Max)

8

LFPAK EP

卷带

活跃

8

单一三源

N

IRHMS57Z60
IRHMS57Z60
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

3

SILICON

5.5@12V

IRHMS57Z60

SQUARE

International Rectifier

1

Transferred

INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC

7.83

TO-254AA

45 A

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

30

±20

45

240(Max)@12V

8884@25V

208000

40(Max)

175(Max)

80(Max)

35(Max)

-55

150

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

未说明

150 °C

e0

无

活跃

EAR99

锡铅

快速切换

SINGLE

PIN/PEG

未说明

unknown

3

S-XSFM-P3

不合格

Single

增强型MOSFET

ISOLATED

SWITCHING

N-CHANNEL

TO-254AA

0.0045 Ω

180 A

30 V

N

1250 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

IRHN7150
IRHN7150
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

76@12V

130(Max)

190(Max)

170(Max)

45(Max)

-55

150

表面贴装

3.58(Max)

16(Max)

11.55(Max)

3

SMD

SMD-1

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

34

160(Max)@12V

4300@25V

150000

活跃

3

Single

N

IRFP260NHR
IRFP260NHR
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

40@10V

有

Unknown

Enhancement

1

200

EAR99

8541.29.00.95

Obsolete

Single

N

IRF540NSTRLHR
IRF540NSTRLHR
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

44@10V

33

71(Max)@10V

71(Max)

1960@25V

130000

35

35

39

11

-55

175

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

100

±20

卷带

Obsolete

Single

N

IRHNA597160
IRHNA597160
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

49@12V

120(Max)

100(Max)

100(Max)

30(Max)

-55

150

表面贴装

3.07(Max)

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD

SMD-2

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

47

170(Max)@12V

6240@25V

250000

活跃

3

Single

P

AUIRFS3307ZTRL
AUIRFS3307ZTRL
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

YES

Si

2

SILICON

5.8@10V

表面贴装

4.83(Max)

9.65(Max)

10.67(Max)

2

Tab

TO-263

D2PAK

Gull-wing

128

D2PAK-3

小概要

1

PLASTIC/EPOXY

30

175 °C

有

AUIRFS3307ZTRL

RECTANGULAR

Infineon Technologies AG

1

Obsolete

INFINEON TECHNOLOGIES AG

5.7

120 A

符合免除

EAR99

有

有

有

Unknown

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

75

±20

4

128

100

20

79@10V

79

4750@50V

230000

65

64

38

15

-55

175

汽车

卷带

e3

Obsolete

EAR99

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY

FET 通用电源

SINGLE

鸥翼

260

compliant

3

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

230

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

TO-263AB

120 A

0.0058 Ω

480 A

75 V

N

140 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

230 W

PMV50EPEAR
PMV50EPEAR
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

45@10V

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

有

有

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

30

20

3

4.2

10000

1

12.8@10V

12.8

793@15V

1200

19

19

36

6

-55

150

汽车

表面贴装

1(Max)

1.4(Max)

3(Max)

3

SOT

SOT-23

Gull-wing

卷带

活跃

3

Single

P

MMIX1969
MMIX1969
IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

符合免除

有

有

Unknown

Unknown

BSS87E6327XT
BSS87E6327XT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6000@10V

Unknown

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

240

±20

0.26

3.7@10V

3.7

77.5@25V

1000

27.3

3.5

17.6

3.7

-55

150

汽车

表面贴装

1.5

2.5

4.5

3

Tab

SOT

SOT-89

Flat

Compliant

EAR99

8541.21.00.95

有

卷带

Obsolete

4

单排双泄

N

BSP315PL6327T
BSP315PL6327T
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Gull-wing

Compliant

EAR99

8541.29.00.75

有

Unknown

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

60

±20

2

1.17

800@10V

5.2@10V

5.2

1.8

0.7

36000

130@25V

40

1800

19

9

32

24

-55

150

表面贴装

1.6

3.5

6.5

3

Tab

SOT

SOT-223

卷带

Obsolete

4

单排双泄

P

SSM3K329R,LF(T
SSM3K329R,LF(T
Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

Si

126@4V

1

30

±12

1

3.5

1000

1

1.5@4V

123@15V

2000

-55

150

表面贴装

1.8

2.9

3

SOT-23F

Flat

3.5(A)

30(V)

Military

SOT-23F

-55C to 150C

±12(V)

1

无

Non-Compliant

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

卷带

活跃

功率MOSFET

3

N

Single

2(W)

N

PHT11N06LT/T3
PHT11N06LT/T3
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

40@5V

70

65

70

17

-55

150

表面贴装

1.7(Max)

3.7(Max)

6.7(Max)

3

Tab

SC-73

供应商未确认

EAR99

无

无

功率MOSFET

TrenchFET

Enhancement

1

55

±13

4.9

17@5V

1050@25V

1800

卷带

Obsolete

4

单排双泄

N

SIHFL9110GE3
SIHFL9110GE3
Vishay 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1200@10V

15

10

-55

150

20

2

8.8

60

6

80

5.5

表面贴装

1.8(Max) - 0.061

3.7(Max)

6.7(Max)

3

Tab

SOT

SOT-223

Gull-wing

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

4

-55 to 150

1.1

100

100

8.7(Max)@10V

8.7(Max)

4.1(Max)

2.2(Max)

150

200@25V

18@25V

2

94

2000

17

27

活跃

4

单排双泄

P

IPD105N03LGBTMA1
IPD105N03LGBTMA1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10.5@10V

35

[email protected]|14@10V

14

1100@15V

38000

2.4

14

14

3.7

-55

175

表面贴装

2.3

6.22

6.5

2

Tab

TO-252

DPAK

符合免除

EAR99

无

无

功率MOSFET

OptiMOS

Enhancement

1

30

±20

卷带

Obsolete

3

Single

N

BSS83PE6327T
BSS83PE6327T
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2000@10V

SIPMOS

Enhancement

1

60

±20

0.33

2.38@10V

2.38

62@25V

360

61

71

56

23

-55

150

汽车

表面贴装

1(Max)

1.3

2.9

3

SOT

SOT-23

Gull-wing

Compliant

EAR99

8541.21.00.95

有

Unknown

小信号

卷带

Obsolete

3

Single

P

PMZB290UN,315
PMZB290UN,315
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

[email protected]

1

20

8

0.95

1

5000

1

[email protected]

45@20V

715

5

10

18.5

4.5

-55

150

表面贴装

0.36(Max)

0.6

1

3

DFN-B

Compliant

EAR99

8541.21.00.95

有

无

无

小信号

Enhancement

卷带

NRND

3

Single

N

BSS84PE6327T
BSS84PE6327T
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8000@10V

Compliant

EAR99

8541.21.00.95

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

60

±20

2

0.17

1@10V

1

15@25V

360

20.5

16.2

8.6

6.7

-55

150

卷带

Obsolete

Single

P

BUK7Y14-80EX
BUK7Y14-80EX
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14@10V

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

有

有

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

80

20

4

65

100

10

44.8@10V

44.8

2370@25V

147000

17.9

13.2

33.3

9.1

-55

175

汽车

表面贴装

1.1(Max)

4.1(Max)

5(Max)

4

Tab

LFPAK

卷带

活跃

5

单一三源

N

SPD35N10T
SPD35N10T
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

44@10V

8541.29.00.95

功率MOSFET

SIPMOS

Enhancement

1

100

±20

35

49@10V

49

1180@25V

150000

23

63

39

12.2

-55

175

Compliant

EAR99

Obsolete

Single

N

MTB3N100E
MTB3N100E
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

Si

2

SILICON

4000@10V

150 °C

无

MTB3N100E

RECTANGULAR

摩托罗拉半导体产品

1

Transferred

MOTOROLA INC

5.81

3 A

不合规

EAR99

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

1000

±20

3

32.5@10V

32.5

1316@25V

2500

33

19

42

13

-55

150

表面贴装

9.65(Max)

4.83(Max)

10.29(Max)

2

Tab

TO-263

D2PAK

Gull-wing

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

小概要

PLASTIC/EPOXY

Rail

e0

Obsolete

Tin/Lead (Sn/Pb)

8541.29.00.95

FET 通用电源

SINGLE

鸥翼

unknown

3

R-PSSO-G2

不合格

Single

增强型MOSFET

DRAIN

N-CHANNEL

3 A

4 Ω

1000 V

N

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

125 W

BSC028N06NSXT
BSC028N06NSXT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

功率MOSFET

OptiMOS

Enhancement

1

60

±20

100

2.8@10V

37@10V

37

2700@30V

2500

8

38

19

11

-55

150

表面贴装

1

5.9

5.15

8

SON

TDSON EP

No Lead

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

无

无

卷带

Unconfirmed

8

单四漏三源

N

AOD488
AOD488
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

26@10V

Compliant

EAR99

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

40

±20

20

[email protected]|9.2@10V

9.2

404@20V

50000

3.5

6

13.2

3.5

-55

175

表面贴装

2.29

6.1

6.6

2

Tab

TO-252

DPAK

,

AOD488

Alpha & Omega Semiconductor

Obsolete

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD

5.82

卷带

Obsolete

compliant

3

Single

N

PMV65XP215
PMV65XP215
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

[email protected]

18

135

7

-55

150

0.833

16

150

0.8

1.35

1.2

0.65

12

2.8

表面贴装

1(Max)

1.4(Max)

3(Max)

3

SOT

SOT-23

Gull-wing

Compliant

EAR99

8541.21.00.75

有

无

无

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

20

12

0.9

-55 to 150

2.8

100

1

[email protected]

1.65

1

744@20V

53@20V

0.47

65

833

68

卷带

活跃

3

Single

P

AO7414L
AO7414L
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

[email protected]

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD

5.81

Compliant

EAR99

8541.21.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

20

±8

1

2

100

1

[email protected]

260@10V

350

3

3.2

21

2.5

-55

150

表面贴装

0.9

1.3

2.1

3

SOT

SC-70

Gull-wing

,

AO7414L

Alpha & Omega Semiconductor

Obsolete

卷带

活跃

compliant

3

Single

N